onsemi MOSFET, Nチャンネル, 35 A, 表面実装, 8 ピン, NTMFS011N15MC
- RS品番:
- 205-2426
- メーカー型番:
- NTMFS011N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- メーカー型番:
- NTMFS011N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 35 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 150 V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージタイプ | PQFN 5 x 6 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 13.2 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 35 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージタイプ PQFN 5 x 6 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 13.2 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4.5V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
ON Semiconductor Power Trench シリーズ 150 V N チャンネル MV MOSFET は、シールドゲート技術を採用した Advanced Process を使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。
最大 rDS （ on ） = 11.5 mhm @ VGS ： 10 V 、 ID ： 35 A
低導電損失
最大 rDS （ on ）は 13.2mhm @ VGS ： 8 V 、 ID ： 18 A です
他の MOSFET サプライヤよりも Qrr が 50 % 低くなっています
スイッチングノイズ / EMI を低減
MSL1の堅牢なパッケージ設計
100% UIL テスト済み
低導電損失
最大 rDS （ on ）は 13.2mhm @ VGS ： 8 V 、 ID ： 18 A です
他の MOSFET サプライヤよりも Qrr が 50 % 低くなっています
スイッチングノイズ / EMI を低減
MSL1の堅牢なパッケージ設計
100% UIL テスト済み
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