onsemi MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 35 A, 13.2 mΩ, 8ピン
- RS品番:
- 205-2426
- メーカー型番:
- NTMFS011N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- NTMFS011N15MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
ON Semiconductor Power Trenchシリーズ150 V NチャンネルMV MOSFETは、Advancedを使用して製造されています。 シールドゲート技術を組み込んだプロセスです。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。
最大rDS(on) = 11.5モーム(VGS: 10 V、ID: 35 A)
低導電損失
最大rDS(on)は13.2モーム、VGSは8V、IDは18A
他のMOSFETサプライヤーより50 %低いQrr
低スイッチングノイズ / EMI
頑丈なMSL1パッケージ設計
100%UILテスト済み
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