onsemi Nチャンネル MOSFET150 V 35 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピン

ON Semiconductor Power Trench シリーズ 150 V N チャンネル MV MOSFET は、シールドゲート技術を採用した Advanced Process を使用して生産されています。このプロセスは、オン状態の抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能とクラス最高のソフトボディダイオードを維持するように最適化されています。

最大 rDS （ on ） = 11.5 mhm @ VGS ： 10 V 、 ID ： 35 A
低導電損失
最大 rDS （ on ）は 13.2mhm @ VGS ： 8 V 、 ID ： 18 A です
他の MOSFET サプライヤよりも Qrr が 50 % 低くなっています
スイッチングノイズ / EMI を低減
MSL1の堅牢なパッケージ設計
100% UIL テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。