onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 75.4 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-263, NTB011N15MC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,266.00

(税抜)

￥1,392.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 7,164 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 38￥633.00￥1,266
40 - 378￥590.00￥1,180
380 - 498￥546.00￥1,092
500 - 638￥503.50￥1,007
640 +￥460.50￥921

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
230-9079
メーカー型番:
NTB011N15MC
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

75.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

NTB01

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

136.4W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

幅

4.83 mm

高さ

15.88mm

自動車規格

なし

ON Semiconductor MOSFET -N チャンネルシールド付きゲートパワートレンチ MOSFET です。ドレイン - ソース間電圧は 150 V です

最適化されたスイッチング性能

最大 RDS （ on ） = 10.9 m Ω @ VGS = 10 V 、 ID = 75.4 A

業界最小の Qrr とソフトなボディダイオードにより、優れた低ノイズスイッチングを実現します

他の MOSFET サプライヤよりも 50 % 低い Qrr

低スイッチングスパイク及び EMI による高効率

スイッチングノイズ / EMIを低減

スイッチング FOM の向上：特に Qgd

100 % UIL テスト済み

スナバ不要、又はスナバ不要

関連ページ