onsemi MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 100 V, 60 A, 9 mΩ, 23 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 205-2496
- メーカー型番:
- NTBS9D0N10MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 205-2496
- メーカー型番:
- NTBS9D0N10MC
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | NTB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 9.6mm | |
| 長さ | 14.6mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ NTB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 9.6mm | ||
長さ 14.6mm | ||
高さ 4.6mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor のシングル N チャンネル 100 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用しています。この技術により、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性が実現されています。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。
連続ドレイン電流定格は 60 A です
ソースへのドレイン抵抗定格は 9.0 mhm です
低 RDS （ on ）で、導電損失を最小限に抑えます
最適化されたスイッチング性能
低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化
業界最小の Qrr およびソフトボディダイオードにより、優れた低ノイズを実現します スイッチング
スイッチングノイズ / EMIを低減
低スイッチングスパイク及び EMI による高効率
パッケージタイプは D2PAK3 です
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