onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, NTBS9D0N10MC

RS品番:: 205-2496
メーカー型番:: NTBS9D0N10MC
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, NTBS9D0N10MC

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RS品番:: 205-2496
メーカー型番:: NTBS9D0N10MC
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id	60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	NTB
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	9mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	68W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	23nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	4.6mm
	幅	9.6 mm
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	14.6mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード
	最大連続ドレイン電流Id 60A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ NTB
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 68W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 4.6mm
	幅 9.6 mm
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 14.6mm
	自動車規格なし

ON Semiconductor のシングル N チャンネル 100 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用しています。この技術により、シリコンと比較して優れたスイッチング性能と高い信頼性が実現されています。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格は 60 A です

ソースへのドレイン抵抗定格は 9.0 mhm です

低 RDS （ on ）で、導電損失を最小限に抑えます

最適化されたスイッチング性能

低 QG 及び静電容量によりドライバ損失を最小化

業界最小の Qrr およびソフトボディダイオードにより、優れた低ノイズを実現しますスイッチング

スイッチングノイズ / EMIを低減

低スイッチングスパイク及び EMI による高効率

パッケージタイプは D2PAK3 です