onsemi Nチャンネル ダイオード内蔵1200 V 19.5 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 7 ピン

ON Semiconductor の SiC N チャンネル 1200 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格： 19.5 A
ソースへのドレイン抵抗定格： 224 mhm
超低ゲート電荷
高速スイッチング及び低静電容量
100 % アバランシェテスト済み

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