onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 1200 V, 19.5 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥636,600.80

(税抜)

￥700,260.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 800 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 800￥795.751￥636,601
1600 - 7200￥787.433￥629,946
8000 - 11200￥779.115￥623,292
12000 - 15200￥770.798￥616,638
16000 +￥762.481￥609,985

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
205-2493
メーカー型番:
NTBG160N120SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

19.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

225mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33.8nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

3.9V

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

136W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

Pb-Free, RoHS

長さ

15.1mm

高さ

4.3mm

幅

9.7 mm

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、160モーム、1200 V、M1、D2PAK-7L


ON Semiconductor の SiC N チャンネル 1200 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格： 19.5 A

ソースへのドレイン抵抗定格： 224 mhm

超低ゲート電荷

高速スイッチング及び低静電容量

100 % アバランシェテスト済み

関連ページ