onsemi MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 1200 V, 31 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL080N120SC1A

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RS品番:
205-2502
メーカー型番:
NTHL080N120SC1A
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

31A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

110mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

4V

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

178W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Max

150°C

幅

15.37 mm

高さ

4.48mm

長さ

39.75mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、80モーム、1200 V、M1、TO-247-3L シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、80モーム、1200 V、M1、TO-247-3L


ON Semiconductor NTH シリーズの SiC N チャンネル 1200 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格は 31 A です

ソース間のドレイン抵抗定格： 110 mhm

高速スイッチング及び低静電容量

100% UIL テスト済み

低実効出力静電容量

パッケージタイプは TO-247-3LD です

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