onsemi Nチャンネル ダイオード内蔵1200 V 31 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

ON Semiconductor NTH シリーズの SiC N チャンネル 1200 V MOSFET は、まったく新しい技術を採用し、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮します。さらに、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズにより、静電容量とゲート電荷量が低くなっています。その結果、最高レベルの効率、 Faster Operation Frequency 、電力密度の向上、 EMI の低減、システムサイズの縮小などのシステムメリットが得られます。

連続ドレイン電流定格は 31 A です
ソース間のドレイン抵抗定格： 110 mhm
高速スイッチング及び低静電容量
100% UIL テスト済み
低実効出力静電容量
パッケージタイプは TO-247-3LD です

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。