STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 36 A エンハンスメント型, スルーホール, 8-Pin パッケージTO-LL
- RS品番:
- 206-6072
- メーカー型番:
- STP50N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 206-6072
- メーカー型番:
- STP50N60DM6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 36A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-LL | |
| シリーズ | STP50N60DM6 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 80mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 55nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.4mm | |
| 長さ | 28.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 36A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-LL | ||
シリーズ STP50N60DM6 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 80mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 55nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.4mm | ||
長さ 28.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics 高電圧 N チャンネルパワー MOSFET は、 MDmesh DM6 高速リカバリダイオードシリーズの一部です。DM6 は、従来の MDmesh 高速世代と比較して、極めて低い回復電荷（ Qrr ）、回復時間（ trr ）、およびエリアごとの RDS （ on ）の優れた改善を兼ね備えています。最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジと ZVS 位相シフトコンバータの市場で最も効果的なスイッチング動作の 1 つです。
高速リカバリボディダイオード
前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります
低ゲート電荷量、入力静電容量、及び抵抗
アバランシェ100 %テスト済み
非常に高い dv/dt 耐量
ツェナー保護
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