STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP60N043DM9

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,635.00

(税抜)

￥1,798.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 773 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 1￥1,635
2 - 19￥1,591
20 - 29￥1,545
30 - 39￥1,498
40 +￥1,454

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
248-9687
メーカー型番:
STP60N043DM9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

STP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

245W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.6mm

幅

10.4 mm

長さ

28.9mm

規格 / 承認

UL

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsのNチャンネルパワーMOSFETは、革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9技術を採用し、面積あたりのRDSが非常に低く、高速回復ダイオードとの組み合わせた、中 / 高電圧MOSFETに適しています。 シリコンベースのDM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、デバイス構造を向上しています。 この高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETは、非常に低いリカバリ電荷、リカバリー時間、RDSオンを特長とする高速リカバリダイオードにより、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS相シフトコンバータに適しています。

高速回復ボディダイオード

シリコンベースの高速回復デバイスの中で、面積あたりのRDSが世界最高水準

低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗

100%アバランシェテスト済み

極めて優れたdv/dt耐久性

関連ページ