STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 55 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP60N043DM9

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梱包形態
RS品番:
248-9687
メーカー型番:
STP60N043DM9
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

55A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

STP

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

245W

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

長さ

28.9mm

規格 / 承認

UL

高さ

4.6mm

幅

10.4 mm

自動車規格

AEC-Q101

STMicroelectronicsのNチャンネルパワーMOSFETは、革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9技術を採用し、面積あたりのRDSが非常に低く、高速回復ダイオードとの組み合わせた、中 / 高電圧MOSFETに適しています。 シリコンベースのDM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスにより、デバイス構造を向上しています。 この高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETは、非常に低いリカバリ電荷、リカバリー時間、RDSオンを特長とする高速リカバリダイオードにより、最も要求の厳しい高効率ブリッジトポロジ及びZVS相シフトコンバータに適しています。

高速回復ボディダイオード

シリコンベースの高速回復デバイスの中で、面積あたりのRDSが世界最高水準

低ゲート電荷、低入力静電容量、低抵抗

100%アバランシェテスト済み

極めて優れたdv/dt耐久性

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