Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 15 A, 250 mΩ, 41 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

RS品番:: 210-4971
メーカー型番:: SIHB17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 15 A, 250 mΩ, 41 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263

取扱停止中

この商品はお取扱い終了致しました。

RS品番:: 210-4971
メーカー型番:: SIHB17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	15A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	800V
	シリーズ	E
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	250mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	41nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	179W
	最大ゲートソース電圧Vgs	30V
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	14.61mm
	幅	9.65mm
	規格 / 承認	RoHS
	高さ	4.06mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 15A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V
	シリーズ E
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 179W
	最大ゲートソース電圧Vgs 30V
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 14.61mm
	幅 9.65mm
	規格 / 承認 RoHS
	高さ 4.06mm
	自動車規格なし

Datasheet - SIHB17N80AE-GE3

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、連続ドレイン電流15 A - SIHB17N80AE-GE3

このパワーMOSFETは、表面実装用途でのスイッチングおよび電力変換用途向けに設計された高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。広い温度範囲で動作し、堅牢な高電圧スイッチング、適度な電流処理、コンパクトなSMDパッケージが必要な用途向けに設計されています。

特長：

• 最大ドレインソース電圧800 Vで高電圧スイッチングを実現
• 15 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷処理を実現
• 250mΩのオン抵抗（RDS(on)）により、負荷時の導通損失を最小化
• 最大許容電力 179W により、高出力動作に対応
• 41 nC標準ゲート電荷で予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大30Vのゲート-ソース電圧により、ゲート駆動マージンを確保

用途

• SMPS一次側高電圧スイッチングに最適
• 産業用高電圧パワーステージに最適
• 800Vデバイスを必要とするブーストコンバータと併用
• 力率補正フロントエンドに使用可能

このデバイスは、動作中にどのような極端な熱に耐えることができますか?

-55°C～150°Cで動作するように設計されており、温度変化が大きい環境での使用が可能です。

ボードにはどのようなパッケージと取り付けスタイルを設定する必要がありますか?

このデバイスは、ボードのヒートシンクエリアに表面実装するためのTO-263パッケージで提供されます。

レイアウトを考慮するために、どのくらいの電気接続を備えていますか?

このコンポーネントには、プリント基板ルーティング用のゲート、ドレイン、ソース終端に対応する3つのピンがあります。

チャンネルモードとは何ですか、またスイッチングにどのような影響を与えますか？

このトランジスタは、電源に対して正のゲートドライブを必要とするエンハンスメントモードNチャンネルデバイスです。