Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 15 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
210-4971
メーカー型番:
SIHB17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

最大許容損失Pd

179W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

14.61mm

規格 / 承認

RoHS

9.65mm

高さ

4.06mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、連続ドレイン電流15 A - SIHB17N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、産業用および電子システムのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。エンハンスメントモードトランジスタとして動作し、集積された回路基板で使用するためのTO-263表面実装パッケージで提供されます。このコンポーネントは、高ドレインソース電圧処理とコンパクトな熱管理を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 800 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 15 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 250 mΩ Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 179 Wの消費電力容量により、熱安定性を向上
• 41 nCの標準ゲート充電により、スイッチングトランジションを迅速に実現
• 30 VのVgs制限により、ゲートを過電圧から保護

用途


• 高電圧SMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータドライブステージスイッチングに最適
• 力率補正フロントエンドコンバータに使用
• インバータおよびUPS高電圧セクションに使用可能

どのような温度範囲で動作しますか?


-55 °Cから最大動作温度150 °Cまでの過酷な環境で動作し、高温環境に適しています。

基板にはどのくらいの電気接続がありますか?


このデバイスは、ドレイン、ゲート、ソース接続用の一般的なMOSFETトポロジに適合する3つの電気ピンを提供します。

パッケージングにはどのような考慮事項が熱放散に影響しますか?


TO-263表面実装パッケージは、基板への低プロファイル熱経路を提供し、熱拡散のために適切なサイズの銅ランドに取り付けるように設計されています。

自動車認定設計に適していますか?


自動車規格に準拠していることは指定されておらず、車両用途に対して適切に評価する必要があります。

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