Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 13 A, 304 mΩ, 35 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
210-4969
メーカー型番:
SIHB15N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

304mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

156W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.06mm

長さ

14.61mm

規格 / 承認

RoHS

幅

9.65mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800 V、連続ドレイン電流13 A - SIHB15N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、表面実装電力変換および制御用途向けの高電圧Nチャンネルスイッチです。幅広い環境範囲で動作し、RoHS環境要件を満たしながら、要求の厳しい電子システムでの高電圧および熱負荷に対応するように設計されています。

特長:


• 800Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 13 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 304mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 156Wの消費電力により、持続的な熱処理が可能
• 標準35nCのゲート充電により、ゲートドライブのサイズを予測可能
• 30Vのゲート許容差により、堅牢なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧電源およびコンバータに使用
• 産業用モーター駆動段階に最適
• スイッチモード電源プライマリスイッチに最適
• 溶接またはプラズマ電源制御モジュールに使用可能
• 産業機器の高電圧インバータと併用

基板の熱管理には、どのようなパッケージタイプを考慮すべきですか?


TO-263表面実装パッケージで提供され、基板銅への低プロファイル熱経路を実現し、ヒートシンクを実現します。

このデバイスは、極端な温度下でどのように動作しますか?


このデバイスの定格動作温度は-55°C~150°Cで、コールドスタートと高温の両方の環境で使用できます。

設計者はどのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


ゲートオキサイドの損傷を防止し、信頼性の高いスイッチングを確保するため、ゲートはソースに対して±30 Vを超えないでください。

ボディダイオードの導通時にはどのような順方向伝導特性がありますか?


本質ダイオードは、逆極性状態で導電すると約1.2Vの順方向電圧を発揮します。

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