Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 17.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 210-4976
- メーカー型番:
- SIHB21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 210-4976
- メーカー型番:
- SIHB21N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 205mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 48nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.06mm | |
| 長さ | 14.61mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 17.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 205mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.06mm | ||
長さ 14.61mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay E シリーズパワー MOSFET は、ドレイン電流 17.4 A の D2PAK （ TO-263 ）パッケージタイプです。
低性能指数(FOM): Ron x Qg
低実効静電容量（ Co （ er ））
スイッチング損失及び導電損失を低減
アバランシェエネルギー定格（ UIS ）
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