Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 15 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG17N80AE-GE3

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梱包形態
RS品番:
210-4986
メーカー型番:
SIHG17N80AE-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

15A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-247AC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

179W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

高さ

4.83mm

15.66mm

長さ

35.3mm

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧800 V、最大連続ドレイン電流15 A - SIHG17N80AE-GE3


このパワーMOSFETは、産業用パワーエレクトロニクスのスルーホール取り付け用に設計された高電圧スイッチングトランジスタです。Nチャンネル強化デバイスとして動作し、大きな電圧ヘッドルームと中程度の連続電流を必要とする用途向けに設計されており、スイッチングおよび電力変換の役割に対応する堅牢な半導体ソリューションを提供します。

特長:


• 最大ドレインソース電圧800 Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 15 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷デューティをサポート
• 250 mΩの最大Rds(on)により、導通損失を低減
• 179 Wの消費電力により、大幅な熱処理が可能
• 41 nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 30 Vゲートソース制限により、標準的なゲートドライブ電圧を実現

用途


• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用インバータステージおよびモータドライブフロントエンドに最適
• 主電源機器の力率補正回路に使用
• 絶縁高電圧コンバータに使用可能
• スルーホールコンポーネントを必要とするラボテストリグに最適

プロトタイピングとヒートシンクには、どのようなパッケージタイプが用意されていますか?


このデバイスは、熱管理用の標準ヒートシンクの堅牢な取り付けと取り付けを容易にするTO-247ACスルーホールパッケージで提供されます。

動作中にどのようなジャンクション温度範囲が期待できますか?


このコンポーネントは、最大150 °Cの温度で動作し、保管及び低温動作の最小指定制限は-55 °Cです。

ゲート充電仕様はスイッチング設計にどのように影響しますか?


定格ゲートドライブで41 nCの標準ゲート充電により、設計者はゲートドライブエネルギーを推定し、スイッチング速度とEMIのバランスを取るために適切なドライバを選択できます。

回路レイアウトには、どのような取り付けとピンカウントの考慮事項が適用されますか?


この部品は、3ピンスルーホール形式を採用しているため、従来の電源レイアウトで基板を確実に固定し、簡単に接続できます。

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