Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 800 V, 4.4 A, 1.35 Ω, 16.5 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 225-9918
- メーカー型番:
- SIHP5N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本50個入り) 小計：*
￥9,853
(税抜)
￥10,839
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 1,050 は海外在庫あり（最終在庫）
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥197.06 | ￥9,853 |
| 250 - 450 | ￥191.46 | ￥9,573 |
| 500 - 1200 | ￥181.38 | ￥9,069 |
| 1250 - 2450 | ￥175.80 | ￥8,790 |
| 2500 + | ￥171.32 | ￥8,566 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 225-9918
- メーカー型番:
- SIHP5N80AE-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | E | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.35Ω | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.65mm | |
| 高さ | 15.85mm | |
| 長さ | 10.52mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ E | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.35Ω | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.5nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.65mm | ||
高さ 15.85mm | ||
長さ 10.52mm | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧800V、最大消費電力62.5W - SIHP5N80AE-GE3
このパワーMOSFETは、産業環境でのスイッチングおよび電力変換用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い周囲温度範囲で動作し、従来の取り付け用のTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスは、中程度の連続電流容量を備えながら、高いドレイン・ソース電圧要件をサポートし、RoHS準拠のコンポーネントを必要とする機器の表面実装用途向けに設計されています。
特長：
• 800V ドレイン機能により高電圧スイッチングを実現
• 4.4Aの連続電流により、中程度の電力負荷に対応
• 1.35Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を最小限に抑制
• 62.5Wの最大消費電力により、高い電力処理をサポート
• 16.5nCの標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±30Vのゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
• 4.4Aの連続電流により、中程度の電力負荷に対応
• 1.35Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を最小限に抑制
• 62.5Wの最大消費電力により、高い電力処理をサポート
• 16.5nCの標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±30Vのゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を実現
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用スイッチング電源に最適
• 堅牢な電圧マージンを必要とするモータードライブに使用
• HVシステムのスナバーおよびクランプ回路に使用可能
• 高電圧を処理するラボテストリグに最適
• 産業用スイッチング電源に最適
• 堅牢な電圧マージンを必要とするモータードライブに使用
• HVシステムのスナバーおよびクランプ回路に使用可能
• 高電圧を処理するラボテストリグに最適
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
定格動作温度は-55°C～150°Cで、コールドスタートと高温の両方の産業環境で使用できます。
プリント基板実装には、どのようなパッケージと取り付け方法を採用していますか?
TO-220ABパッケージで提供され、表面実装用に設計されており、アセンブリのスルーホール型ヒートシンクを容易にします。
接続ピン数と極性タイプは?
このデバイスは3ピンを備え、Nチャンネルタイプを採用し、ゲート、ドレイン、ソース用の標準的なMOSFETピン機能を備えています。
損傷を防止するために、ゲート駆動電圧に制限はありますか?
ゲートソース電圧は30 Vを超えてはならないため、運転中のゲート過度のストレスを防止します。
関連ページ
- Vishay パワーMOSFET 800 V 1.35 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 304 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 0.195 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 800 V 0.483 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 700 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 400 V 1 Ω 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- Vishay パワーMOSFET 650 V 193 mΩ 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB