Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 67.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
210-5006
メーカー型番:
SiR882BDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

67.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiR882BDP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

最大許容損失Pd

83.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay N チャンネル 100 V （ D-S ） MOSFET は、 PowerPak SO-8 パッケージタイプです。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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