型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

RS品番:: 210-5042
メーカー型番:: SQJ146EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

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15000 - 27000	￥50.838	￥152,514
30000 - 72000	￥50.503	￥151,509
75000 - 147000	￥50.159	￥150,477
150000 +	￥49.814	￥149,442

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RS品番:: 210-5042
メーカー型番:: SQJ146EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	75A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	SQJ146EP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	5.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.1V
	最大許容損失Pd	75W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	18nC
	動作温度 Max	175°C
	幅	6.25 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	高さ	1.1mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 75A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ SQJ146EP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.1V
	最大許容損失Pd 75W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC
	動作温度 Max 175°C
	幅 6.25 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	高さ 1.1mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - SQJ146EP-T1_GE3

Vishay Automotive N チャンネル 40 V （ D-S ） 175 ° C MOSFET は、 PowerPak SO-8L パッケージタイプで、ドレイン電流が 75 A です。

TrenchFET Gen IV パワー MOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済み

Qgd/qgs < 1 でスイッチング特性を最適化

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSO-8

3,000円を超える注文については、送料無料

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