Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 32 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
170-8303
メーカー型番:
SQJ412EP-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

32A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SQ Rugged

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

1.14mm

幅

5.03 mm

長さ

5mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点


• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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