2 Vishay MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 60 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSO-8
- RS品番:
- 188-4915
- メーカー型番:
- SQJ208EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ¥103.805 | ¥311,415 |
| 6000 - 27000 | ¥102.393 | ¥307,179 |
| 30000 - 42000 | ¥99.92 | ¥299,760 |
| 45000 - 57000 | ¥97.45 | ¥292,350 |
| 60000 + | ¥94.98 | ¥284,940 |
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- RS品番:
- 188-4915
- メーカー型番:
- SQJ208EP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 16mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.77V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 48W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.01mm | |
| 幅 | 4.47 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.77V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 48W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.01mm | ||
幅 4.47 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
車載用デュアル N チャンネル 40 V ( D-S ) 175 ° C MOSFET です。
TrenchFET®パワーMOSFET
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