型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI7454DDP-T1-GE3

RS品番:: 787-9241
メーカー型番:: SI7454DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI7454DDP-T1-GE3

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150 - 1390	￥181.20	￥1,812
1400 - 1890	￥156.80	￥1,568
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RS品番:: 787-9241
メーカー型番:: SI7454DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	Si7454DDP
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	47mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	12.8nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	29.7W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	幅	5.26 mm
	高さ	1.12mm
	長さ	6.25mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 21A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ Si7454DDP
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 47mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12.8nC
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 29.7W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	幅 5.26 mm
	高さ 1.12mm
	長さ 6.25mm
	自動車規格なし

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 21 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI7454DDP-T1-GE3

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NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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