STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 72 A, 39 mΩ, 4ピン, パッケージ：TO-247-4
- RS品番:
- 210-8749
- メーカー型番:
- STW68N65DM6-4AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 210-8749
- メーカー型番:
- STW68N65DM6-4AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 72 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 39 mΩ | |
| ピン数 | 4 | |
| パッケージ型式 | TO-247-4 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 72 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 39 mΩ | ||
ピン数 4 | ||
パッケージ型式 TO-247-4 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies andZVS phase-shift converters.
Designed for automotive applications
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
Zener-protected
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