Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 30 V, 2.30 A, 57 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 250-0556
- Distrelec 品番:
- 304-40-501
- メーカー型番:
- BSS306NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥513
(税抜)
￥564
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 16,380 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥51.30 | ￥513 |
| 150 - 1390 | ￥45.10 | ￥451 |
| 1400 - 1890 | ￥38.00 | ￥380 |
| 1900 - 2390 | ￥32.10 | ￥321 |
| 2400 + | ￥25.70 | ￥257 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 250-0556
- Distrelec 品番:
- 304-40-501
- メーカー型番:
- BSS306NH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | BSS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 57mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ BSS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 57mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流2.30A - BSS306NH6327XTSA1
このMOSFETは、コンパクトアセンブリの表面実装電源スイッチング用に設計されたNチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、低導通損失と適度なスイッチング能力を必要とする過酷な環境に適しています。このパッケージは自動配置をサポートし、標準的な基板レベルの熱管理アプローチと互換性があります。
特長および利点：
• 57mΩ RDS(on)により、スイッチング時の導通損失を低減
• 80 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングトランジションを実現
• 81Wの消費電力により、高いシングルパッケージ電力処理をサポート
• 20Vゲート許容差により、ゲートドライブの選択に柔軟性を発揮
• -55°C～+150°Cの定格により、極端な温度下でも安定した動作を実現
• 80 nCの標準ゲート電荷により、制御されたスイッチングトランジションを実現
• 81Wの消費電力により、高いシングルパッケージ電力処理をサポート
• 20Vゲート許容差により、ゲートドライブの選択に柔軟性を発揮
• -55°C～+150°Cの定格により、極端な温度下でも安定した動作を実現
用途
• 自動車用センサーの電源スイッチングに最適
• コンパクトなDC電源管理回路に最適
• 低電圧モータドライバおよび負荷スイッチと併用
• バッテリ保護および配電モジュールに使用可能
• 表面実装型電源調整に最適
• コンパクトなDC電源管理回路に最適
• 低電圧モータドライバおよび負荷スイッチと併用
• バッテリ保護および配電モジュールに使用可能
• 表面実装型電源調整に最適
どのような温度範囲で確実に動作できますか?
高温用途向けに-55°C～+150°Cまで動作します。
ゲート電圧制限はドライブ選択にどのように影響しますか?
このゲートは最大20 Vの耐電圧に対応できるため、ゲートストレスを防止するためにドライバ設計はこれを超えないでください。
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
表面実装用のSOT-23パッケージで提供され、自動基板組立に適しています。
オン状態ではどのような伝導性能が期待できますか?
このデバイスの最大ドレイン-ソース抵抗は57 mΩで、負荷時の電圧降下を低減します。
調整された消費電力シナリオに適していますか?
最大消費電力は81Wで、中程度の高出力のシングルデバイス用途に使用できます。
関連ページ
- Infineon MOSFET 30 V 57 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 30 V 280 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 5 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 6 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 100 V 10 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 60 V 8 Ω 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 20 V 82 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23
- Infineon MOSFET 20 V 85 mΩ 3ピン, パッケージ：SOT-23