Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 40 A, 4.6 mΩ, 25 nC, 8ピン, パッケージ：PQFN
- RS品番:
- 214-4338
- メーカー型番:
- BSZ034N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール5000個入り) 小計：*
￥386,400
(税抜)
￥425,050
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年11月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥77.28 | ￥386,400 |
| 10000 - 45000 | ￥75.395 | ￥376,975 |
| 50000 - 70000 | ￥74.487 | ￥372,435 |
| 75000 - 95000 | ￥73.60 | ￥368,000 |
| 100000 + | ￥72.734 | ￥363,670 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4338
- メーカー型番:
- BSZ034N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.6mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最大許容損失Pd | 52W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 25nC | ||
最大許容損失Pd 52W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.4mm | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 40A - BSZ034N04LSATMA1
このMOSFETは、電力変換および大電流用途向けに設計された表面実装Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、低導通損失と高速スイッチングが求められる基板実装の小型設計向けです。
特長：
• 超低オン抵抗 4.6mΩ により、導通損失を低減
• 高い連続ドレイン電流 40A により、大負荷に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 40V により、中電圧の電力段に対応
• 標準ゲート電荷 25nC により、高速なスイッチング応答を実現
• 許容電力 52W により、大きな熱負荷に対応
• ゲート-ソース間電圧上限 20V により、過剰な駆動電圧から保護
• 高い連続ドレイン電流 40A により、大負荷に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 40V により、中電圧の電力段に対応
• 標準ゲート電荷 25nC により、高速なスイッチング応答を実現
• 許容電力 52W により、大きな熱負荷に対応
• ゲート-ソース間電圧上限 20V により、過剰な駆動電圧から保護
用途
• DC-DCコンバータのスイッチング段に適合
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブのハーフブリッジ回路に使用
• バッテリ管理および配電に使用可能
• 大電流のPOL（ポイントオブロード）モジュールに適合
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブのハーフブリッジ回路に使用
• バッテリ管理および配電に使用可能
• 大電流のPOL（ポイントオブロード）モジュールに適合
基板にはどのような実装方法が必要ですか？
パッケージのランドパターンを介したはんだ付けによるプリント基板への取り付けと熱伝導に対応するPQFN表面実装パッケージで提供されます。
動作温度範囲は使用条件にどのような影響を与えますか？
定格温度範囲は -55°C～150°C で、適切な熱設計を行えば、極端な周囲温度やジャンクション温度が高くなる環境にも設置できます。
スイッチング性能を確保するため、ゲート駆動ではどのような点を考慮する必要がありますか？
標準ゲート電荷が 25nC のため、設計者はEMIを抑えつつ目標の遷移速度を得られるよう、十分なゲート駆動電流を供給する必要があります。
エンハンスメントモードで動作する構成ですか？
このデバイスはNチャンネル導通方式を採用しており、適切なゲート駆動とレベルシフトを組み合わせることで、ローサイド構成とハイサイド構成の両方に適しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 4.6 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 40 V 0.7 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 40 V 5.6 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 40 V 2.5 mΩ 8ピン, パッケージ：TSDSON
- Infineon MOSFET 40 V 2.8 mΩ 8ピン, パッケージ：TSDSON
- Infineon MOSFET 80 V 11 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 100 V 14.6 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 25 V 5.1 Ω パッケージ：TSDSON