Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 11 A, 450 mΩ, 24 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

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RS品番:
214-4356
メーカー型番:
IPA80R450P7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

800V CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

450mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

29W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

長さ

10.68mm

幅

16.15mm

規格 / 承認

No

高さ

4.85mm

自動車規格

なし

インフィニオン800V CoolMOS P7シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 800V、連続ドレイン電流 11A - IPA80R450P7XKSA1


このMOSFETは、電力変換および産業用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い周囲温度範囲で動作し、一般的な電源アセンブリでのスルーホール実装向けで、高い耐電圧と中程度の電流能力が求められる場合に信頼性の高い選択肢となります。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 800V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流 11A により、大きな負荷電流に対応
• 450mΩ のRDS(on)により、電力段の導通損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷 24nC により、効率的なスイッチング性能を実現
• 最大許容電力 29W により、高い熱ストレスに対応
• ゲート許容電圧 30V により、柔軟なゲート駆動振幅に対応

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータードライブのフロントエンドに最適
• エネルギー分野のスイッチング電源システムに使用
• 昇圧回路のライン側スイッチングに使用可能
• スルーホール実装による実験室や試作用アセンブリに適合

信頼性の高い動作が可能な温度範囲はどのくらいですか?


このデバイスは -55°C~150°C で機能するよう規定されており、低温環境と高温環境の両方で動作できます。

実装と冷却のために、どのようなパッケージが採用されていますか?


スルーホール実装用のTO-220パッケージで提供され、熱管理のためにヒートシンクやシャーシに取り付けることができます。

ゲート駆動に関してどのような点に注意すべきですか?


最大ゲート-ソース間電圧は 30V、標準総ゲート電荷は 24nC のため、ドライバを選定する際は、目的のスイッチング速度を得られるよう電圧マージンと駆動能力のバランスを取る必要があります。

導通抵抗は設計にどのような影響を与えますか?


最大ドレイン-ソース間オン抵抗が 450mΩ のため、設計者は想定電流での導通損失を考慮し、それに応じてヒートシンクのサイズを決める必要があります。

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