Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-263, IPB180N10S403ATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3803
メーカー型番:
IPB180N10S403ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

250W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

108nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2パワートランジスタは、Nチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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