Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 100 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-263, IPB100N12S305ATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3796
メーカー型番:
IPB100N12S305ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

300W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

139nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-Tパワートランジスタは、Nチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

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