Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
214-4371
メーカー型番:
IPB60R360P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

600V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

41W

動作温度 Max

150°C

長さ

10.02mm

規格 / 承認

No

高さ

4.5mm

幅

9.27 mm

自動車規格

なし

Infineon の 600 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET は、設計プロセスの使いやすさと高効率性のバランスをとり続けます。クール MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷（ QG ）により、高効率を実現しています。

Infineon の 600 V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET は、設計プロセスの使いやすさと高効率性のバランスをとり続けます。クール MOS ™第 7 世代プラットフォームのクラス最高の RonxA と本質的に低いゲート電荷（ QG ）により、高効率を実現しています。

堅牢なボディのダイオードを備えています

内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度が低下します

堅牢なボディのダイオードを備えています

内蔵 RG により、 MOSFET の発振感度が低下します

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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