Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 9 A, 360 mΩ, 13 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 214-4372
- メーカー型番:
- IPB60R360P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4372
- メーカー型番:
- IPB60R360P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | 600V CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 41W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.27mm | |
| 高さ | 4.5mm | |
| 長さ | 10.02mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ 600V CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 41W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.27mm | ||
高さ 4.5mm | ||
長さ 10.02mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン 600V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 600V、連続ドレイン電流 9A - IPB60R360P7ATMA1
この MOSFET は、産業用電源システムにおけるスイッチングおよび電力変換用途向けに設計された、高耐圧 N チャネルデバイスです。TO-263 表面実装パッケージで供給され、高温環境下において堅牢なゲート制御と大きなドレイン電流の取り扱いが求められる用途を対象としています。
特長：
• ドレイン-ソース間定格電圧 600V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 9A により、大きな負荷電流に対応
• 360mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 41Wの最大消費電力により、動作中の熱ストレスに対応
• 標準ゲート電荷 13nC により、効率的なゲートドライブ遷移が可能
• 最大 20V のゲートソース間許容差により、一般的なゲートドライブ電圧の使用が可能です。
• 連続ドレイン電流 9A により、大きな負荷電流に対応
• 360mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 41Wの最大消費電力により、動作中の熱ストレスに対応
• 標準ゲート電荷 13nC により、効率的なゲートドライブ遷移が可能
• 最大 20V のゲートソース間許容差により、一般的なゲートドライブ電圧の使用が可能です。
用途
• 高電圧電源供給のスイッチング段に使用
• 産業用 AC/DC 変換モジュールに最適
• 二次側同期整流の実装に最適
• 高圧モーター駆動用補助回路に使用可能
• 3端子電源デバイスを必要とする表面実装アセンブリに使用
• 産業用 AC/DC 変換モジュールに最適
• 二次側同期整流の実装に最適
• 高圧モーター駆動用補助回路に使用可能
• 3端子電源デバイスを必要とする表面実装アセンブリに使用
動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか？
-55°C〜150°C の範囲で動作するため、過酷な熱環境下での使用が可能です。
基盤の統合にはどのようなパッケージと取付方式を使用しますか？
熱接触と自動実装を容易にするため、表面実装用の TO-263 パッケージで供給されます。
このデバイスは、高速スイッチングのゲートドライブ要件にどのように対応しますか?
13nC の標準ゲート電荷と 20V のゲートソース制限により、一般的なゲートドライバ電圧を使用しながら、迅速なスイッチングをサポートします。
このトランジスタは、どのような極性と制御モードを採用していますか?
ローサイドおよびハイサイドのスイッチング・トポロジーに適した、N タイプエンハンスメントモードデバイスです。