Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 70 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD70N12S311ATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-4390
メーカー型番:
IPD70N12S311ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

シリーズ

OptiMOS-T

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

51nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Max

175°C

幅

6.42 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.65mm

高さ

2.35mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon の OptiMOS MOSFET は、車載用途に適しており、アバランシェテストを 100 % 受けています。

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです

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