Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプPチャンネル, 40 V, 70 A, 7.8 mΩ, 71 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 220-7412
- メーカー型番:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,188
(税抜)
￥2,407
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,490 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥218.80 | ￥2,188 |
| 150 - 1190 | ￥199.80 | ￥1,998 |
| 1200 - 1590 | ￥183.50 | ￥1,835 |
| 1600 - 1990 | ￥167.40 | ￥1,674 |
| 2000 + | ￥151.10 | ￥1,511 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 220-7412
- メーカー型番:
- IPD70P04P4L08ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 70A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 71nC | |
| 最大許容損失Pd | 75W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 5V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 70A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 71nC | ||
最大許容損失Pd 75W | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 5V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.41mm | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧40 V、最大連続ドレイン電流70 A - IPD70P04P4L08ATMA2
このMOSFETおよびダイオードは、自動車および産業環境での電源スイッチング用の高速リカバリダイオードを統合したPチャンネル強化デバイスです。表面実装用途向けに設計されており、過酷なデューティサイクルに対応する幅広い温度範囲で動作します。
特長：
• 最大ドレイン・ソース電圧40Vにより、中電圧スイッチングが可能
• 7.8mΩ Rds(on)により、高電流時の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 70A により、大きな負荷電流に対応
• 75Wの最大消費電力により、持続的な電力供給を実現
• 71nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギー損失を最小限に抑制
• AEC‐Q101認証により、自動車部品のストレス基準に適合
• 7.8mΩ Rds(on)により、高電流時の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 70A により、大きな負荷電流に対応
• 75Wの最大消費電力により、持続的な電力供給を実現
• 71nCの標準ゲート電荷により、スイッチングエネルギー損失を最小限に抑制
• AEC‐Q101認証により、自動車部品のストレス基準に適合
用途
• 自動車用配電モジュールに最適
• 車載用電子機器のDC-DCコンバータに最適
• 高速リカバリダイオードを必要とするモーター駆動段で使用
• バッテリ管理システムの負荷スイッチに使用可能
• 表面実装ボードの高電流電力段に最適
• 車載用電子機器のDC-DCコンバータに最適
• 高速リカバリダイオードを必要とするモーター駆動段で使用
• バッテリ管理システムの負荷スイッチに使用可能
• 表面実装ボードの高電流電力段に最適
制御に適合するゲート電圧範囲は?
最大ゲート・ソース電圧は5Vで、このデバイスは低電圧ゲートドライブ用です。
このデバイスはどのような極端な熱に耐えられますか?
-55°C～175°Cの幅広い温度範囲で動作するように設計されています。
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
このコンポーネントは、表面実装用のTO‐252パッケージで提供されます。
プリント基板接続用のピン数はどれくらいですか?
ドレイン、ソース、ゲート接続用の3つの電気ピンを備えています。
関連ページ
- Infineon MOSFETおよびダイオード 40 V 7.8 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET -40 V 8.9 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 30 V パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET -40 V 7.3 mΩ パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET -40 V 4.30 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 6.6 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 4.4 A, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET -40 V 4.7 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252