Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 12.5 A, 360 mΩ, 16.4 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
214-4391
メーカー型番:
IPD70R360P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

12.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

700V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

360mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

動作温度 Min

-40°C

最大許容損失Pd

59.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.4nC

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

高さ

2.35mm

長さ

6.65mm

幅

6.42mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオン700V CoolMOS P7シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 700V、連続ドレイン電流 12.5A - IPD70R360P7SAUMA1


このMOSFETは、スイッチング電源の電力変換やその他の電力処理用途向けに設計された高電圧Nチャンネルエンハンスメント型デバイスです。小型アセンブリで信頼性の高い耐電圧性能とスイッチング性能が求められる用途向けの表面実装部品です。このデバイスは幅広い温度範囲で動作し、パワーエレクトロニクス用途で一般的なゲート駆動電圧に対応します。

特長:


• 耐圧 700V により、高電圧設計に対応
• 連続ドレイン電流 12.5A により、大きな負荷電流に対応
• RDS(on) 360mΩ により、負荷時の導通損失を最小限に抑制
• 許容電力 59.5W により、持続的な熱負荷に対応
• ゲート電荷 16.4nC により、スイッチング時のエネルギー損失を低減
• VGS定格 ±16V により、標準的なゲート駆動マージンを確保

用途


• 高電圧SMPSの一次側スイッチに適合
• 産業用電力コンバータ段に最適
• 電源のフライバックおよびフォワードトポロジに使用
• 力率改善フロントエンドに使用可能
• 高電圧試験や実験室の設備に適合

このデバイスは動作中にどの程度の温度範囲に耐えられますか?


-40°C~150°C で動作するよう規定されており、過酷な熱環境で使用できます。

基板レイアウトを検討する際、どのようなパッケージを想定すべきですか?


この部品は3ピンのTO-252表面実装パッケージで提供され、プリント基板のフットプリントに容易に組み込めます。

スイッチング時の順方向導通特性はどうなりますか?


順方向電圧は 0.9V で、オン状態動作時の導通損失の計算に影響します。

ゲート駆動設計では、スイッチング特性をどのように考慮すべきですか?


標準ゲート電荷 16.4nC を基に、目的の遷移速度に合わせてドライバ電流とスイッチングタイミングを設定してください。

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