Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 6 A, 900 mΩ, 6.8 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 214-4393
- Distrelec 品番:
- 304-39-408
- メーカー型番:
- IPD70R900P7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール2500個入り) 小計：*
￥118,195
(税抜)
￥130,015
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年5月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥47.278 | ￥118,195 |
| 12500 - 22500 | ￥47.255 | ￥118,138 |
| 25000 - 60000 | ￥46.774 | ￥116,935 |
| 62500 - 122500 | ￥46.282 | ￥115,705 |
| 125000 + | ￥45.778 | ￥114,445 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 214-4393
- Distrelec 品番:
- 304-39-408
- メーカー型番:
- IPD70R900P7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 30.5W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 6.65mm | |
| 幅 | 6.42mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.35mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.8nC | ||
最大許容損失Pd 30.5W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 6.65mm | ||
幅 6.42mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.35mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン700V CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 700V、最大連続ドレイン電流 6A - IPD70R900P7SAUMA1
このMOSFETは、電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、高い耐圧と中程度の電流能力が求められる表面実装型電源設計向けです。このデバイスはエンハンスメントモードで動作し、ゲート駆動特性を制御できる小型電力部品を必要とするシステムに適しています。
特長：
• 耐圧 700V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 6A により、中程度の負荷に対応
• 900mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を抑制
• 標準ゲート電荷 6.8nC により、高速なゲート遷移を実現
• 最大許容電力 30.5W により、熱設計の余裕を確保
• 最大ゲート-ソース間定格 16V により、信頼性の高いゲート駆動に対応
• 連続ドレイン電流 6A により、中程度の負荷に対応
• 900mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を抑制
• 標準ゲート電荷 6.8nC により、高速なゲート遷移を実現
• 最大許容電力 30.5W により、熱設計の余裕を確保
• 最大ゲート-ソース間定格 16V により、信頼性の高いゲート駆動に対応
用途
• 高電圧電源のSMPS一次側スイッチ用途に適合
• 耐圧 700V が必要なオフライン電源に最適
• 中程度の連続電流を必要とする電力コンバータに使用
• 産業機器のスイッチングトポロジに使用可能
• 小型の表面実装型電源アセンブリに適合
• 耐圧 700V が必要なオフライン電源に最適
• 中程度の連続電流を必要とする電力コンバータに使用
• 産業機器のスイッチングトポロジに使用可能
• 小型の表面実装型電源アセンブリに適合
基板実装用にどのようなパッケージタイプが用意されていますか？
TO-252表面実装パッケージで提供され、はんだ付けによるプリント基板への取り付けと効率的な熱接触が可能です。
温度範囲は過酷な環境での使用にどのような影響を与えますか？
このデバイスは -40°C～150°C で動作するよう規定されており、ジャンクション温度が高く周囲温度の変化が大きい用途に対応します。
設計ではどのようなゲート駆動の制約を守る必要がありますか？
ゲートはソースに対して ±16V を超えてはならないため、過電圧を防止するためにゲート駆動回路にクランプまたはレベルシフトを組み込む必要があります。
デバイスのチャンネルとモードは回路トポロジにどのような影響を与えますか？
Nチャンネルエンハンスメント型デバイスのため、導通には正のゲート-ソース間電圧が必要で、適切なドライバ構成によりローサイドまたはハイサイドのスイッチングに適しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 700 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 700 V 360 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 700 V 600 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 700 V 1.4 Ω 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFETおよびダイオード 700 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 800 V 900 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 600 V 600 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 650 V 210 mΩ, パッケージ：TO-252