Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 8.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD70R600P7SAUMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,752.00

(税抜)

￥1,927.25

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 3,675 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 100￥70.08￥1,752
125 - 1100￥62.40￥1,560
1125 - 1475￥54.72￥1,368
1500 - 1975￥47.08￥1,177
2000 +￥39.36￥984

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
215-2509
メーカー型番:
IPD70R600P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

シリーズ

700V CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

10.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 700V Cool MOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、携帯電話の充電器やノートパソコン用アダプタなど、低消費電力 SMPS 市場に対応し、現在使用されているスーパージャンクション技術に比べて基本的な性能向上を実現しています。このテクノロジーは最高レベルの効率基準を満たし、高電力密度をサポートしているため、非常にスリムな設計に移行できます。最新の CoolMOS ™ P7 は、充電器、アダプタ、照明、テレビなどの消費者市場におけるコスト重視の用途に合わせて最適化されたプラットフォームです

超低 FOMRDS （ on ） * Qg 、 RDS （ on ） * eOSS による超低損失

優れた温度特性

ESD 保護ダイオードを内蔵しています

低スイッチング損失（ eOSS ）

関連ページ