Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 8.5 A, 600 mΩ, 10.5 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 215-2509
- メーカー型番:
- IPD70R600P7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2509
- メーカー型番:
- IPD70R600P7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 700V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | 700V CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 600mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 10.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 900mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ 700V CoolMOS P7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 600mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.5nC | ||
最大許容損失Pd 10.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 900mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン 700V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 700V、連続ドレイン電流 8.5A - IPD70R600P7SAUMA1
この MOSFET は、表面‑実装型の電力用途向けに設計された、高耐圧 N‑ チャネルスイッチングトランジスタです。エンハンスメントモードで動作し、高いドレインソース電圧能力を必要とする回路向けに設計されており、コンパクトな SMD レイアウトに適した中程度の伝導性能と熱処理を実現します。
特長：
• 700V のドレイン‐ソース間定格により、高‑電圧スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流 8.5A により、継続的な負荷動作に対応
• 600mΩ Rds(on) により、中‑電源設計での導通損失を制限
• 10.5Wの最大消費電力により、信頼性の高い熱マージンを実現
• 10.5nC の標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±20Vのゲート許容差により、標準的なゲート駆動電圧を実現
• 連続ドレイン電流 8.5A により、継続的な負荷動作に対応
• 600mΩ Rds(on) により、中‑電源設計での導通損失を制限
• 10.5Wの最大消費電力により、信頼性の高い熱マージンを実現
• 10.5nC の標準ゲート充電により、より高速なゲートトランジションを実現
• ±20Vのゲート許容差により、標準的なゲート駆動電圧を実現
用途
• 高‑電圧スイッチ‑モード電源に最適
• 一次‑側電力変換段に最適
• 共振型およびハード‑スイッチング型トポロジーで使用
• 産業用照明バラストに使用可能
• コンパクトな SMD 電源モジュールに採用
• 一次‑側電力変換段に最適
• 共振型およびハード‑スイッチング型トポロジーで使用
• 産業用照明バラストに使用可能
• コンパクトな SMD 電源モジュールに採用
動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～150°C で動作するように設計されており、広範な熱環境に適しています。
プリント基板レイアウトには、いくつの電気接続が設けられていますか?
このデバイスは、従来の SMD フットプリント設計を必要とする TO‑252 表面‑実装パッケージに収められた 3 本のピンを備えています。
オン‑状態での電圧降下を決定する伝導特性は何ですか？
600mΩ のオン‑状態抵抗は、指定されたドレイン電流での電圧降下を定義し、導通損失に影響を与えます。
ゲートドライブはスイッチング性能にどのように影響しますか?
Vgs条件での 10.5nC の標準ゲート電荷は、特定のゲート‑ドライバ機能に必要な駆動電流とスイッチング速度に影響を与えます。
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