Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 190 mA, 10 Ω, 0.6 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23

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RS品番:
827-0011
Distrelec 品番:
304-44-422
メーカー型番:
BSS123NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

190mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

500mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.6nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

800mV

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

長さ

2.9mm

幅

1.3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

インフィニオン OptiMOS シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大ドレイン-ソース間抵抗 10Ω - BSS123NH6327XTSA1


このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリにおけるスイッチングおよび制御用途向けに設計された表面実装Nチャンネルエンハンスメントトランジスタです。広い熱範囲での使用し、低スイッチング電荷および保守的な電流処理が必要な用途向けに設計されています。このデバイスは基板実装が容易なSOT-23パッケージで提供され、車載グレードのコンポーネントの堅牢性が求められる環境に適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 100V により、高電圧スイッチングが可能
• 10Ω Rds(on)により低電力保護と電流制限を簡素化
• 0.6nCの標準ゲート電荷によりスイッチング損失を最小限に抑制
• 190mAの連続ドレイン電流により、軽負荷制御をサポート
• 20Vのゲート定格電圧により一般的なドライブレベルとの互換性を確保
• 500mWの許容電力により、低い熱負荷に対応

用途


• バッテリー管理検出回路に最適
• 制御モジュールの低電流ロードスイッチに最適
• 混合電圧システムのレベルシフトインターフェースに使用
• 自動車周辺機器における信号絶縁に使用可能
• 熱制限のある電力分配ネットワークに最適

動作中に耐えられる温度条件は?


-55°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作し、コールドスタート環境および高熱環境の両方で使用できます。

どのような取り付けとピン構成を使用しますか?


3ピンSOT-23表面実装パッケージで提供され、自動基板アセンブリおよび小型フォームファクターレイアウト向けに最適化されています。

構造は自動車プロジェクトの選択にどのように影響しますか?


このデバイスは自動車用ストレステスト規格に適合しており、コンポーネントが自動車用認証要件に耐える必要がある場合に適しています。

プリント基板での熱放散をどのように管理すべきですか?


500mWの散逸制限により、設計者は、熱を分散させ、ジャンクション温度を安全な範囲内に維持するために十分な銅面積またはサーマルバイアスを提供する必要があります。

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