Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 200 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 214-4336
- メーカー型番:
- BSS7728NH6327XTSA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-4336
- メーカー型番:
- BSS7728NH6327XTSA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 200mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 0.36W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 200mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ SIPMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 0.36W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.12mm | ||
長さ 3.04mm | ||
幅 1.4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon の SIPMOS 小型信号 MOSFET は、スペースに制約のある車載用途や非車載用途に最適です。バッテリ保護、バッテリ充電、 LED 照明など、ほぼすべての用途で使用されています。
IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリーです
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