Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 214-8951
- メーカー型番:
- AUIRFR540Z
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-8951
- メーカー型番:
- AUIRFR540Z
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 28.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 91W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.22mm | |
| 幅 | 6.73 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.39mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 91W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.22mm | ||
幅 6.73 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.39mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。175℃のジャンクション動作温度 、高速スイッチング、向上した繰り返しアバランシェ定格といった特長もあります。これらの特長により、車載用をはじめ、幅広い用途に使用できる、高効率で信頼性の高いデバイスです。
高度なプロセス技術
超低オン抵抗
車載用認定済み