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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	35A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	28.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	91W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	59nC
	順方向電圧 Vf	1.3V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 35A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 91W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 59nC
	順方向電圧 Vf 1.3V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - IRFR540ZTRPBF

Infineon のこの HEXFET ® パワー MOSFET は、最新の 35 A の ID 処理技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

鉛フリー及びハロゲンフリー

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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