Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 147 A, 1.5 mΩ, 22 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 214-8972
- メーカー型番:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-8972
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- BSC015NE2LS5IATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 147A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 50W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 16V | |
| 順方向電圧 Vf | 650mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.35mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 長さ | 5.49mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 147A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 50W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 16V | ||
順方向電圧 Vf 650mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.35mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
長さ 5.49mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大消費電力50W、最大ドレインソース電圧25V - BSC015NE2LS5IATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での表面実装パワースイッチングおよび負荷制御用に設計された高電流Nチャンネル強化デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、大きな連続ドレイン電流と電力処理に対応しているため、低伝導損失と高速ゲート駆動スイッチングを必要とする用途に適しています。
特長：
• 1.5mΩ Rds(on)により、高電流での導通損失を低減
• 147A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 50Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 22nCの標準ゲート電荷により、効率的なスイッチング制御が可能
• 0.65Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 低電圧電源レールに適した25Vドレイン・ソース定格
• 147A の連続ドレイン電流により、大負荷電流に対応
• 50Wの消費電力により、持続的な電力処理が可能
• 22nCの標準ゲート電荷により、効率的なスイッチング制御が可能
• 0.65Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を最小限に抑制
• 低電圧電源レールに適した25Vドレイン・ソース定格
用途
• 高電流DC-DCコンバータに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• パワーエレクトロニクスのモーター駆動段に使用
• バッテリ保護および配電に使用可能
• コンパクトSMDアセンブリの電源スイッチングに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• パワーエレクトロニクスのモーター駆動段に使用
• バッテリ保護および配電に使用可能
• コンパクトSMDアセンブリの電源スイッチングに最適
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
表面実装用の8ピンTDSONパッケージで提供されます。
回路設計時にはどのような電圧制限を遵守する必要がありますか?
最大ドレイン・ソース電圧は25V、最大ゲート・ソース電圧は16Vです。
極端な温度条件でどのような性能を発揮しますか？
-55°C～150°Cまでの幅広い熱範囲で動作するように設計されています。
どのようなチャンネルタイプとモードが実装されていますか?
このデバイスは、NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。
基板レイアウトに関連する物理的フットプリントの制限は?
このパッケージの寸法は約5.49mmx6.35mmで、高さは1.1mmです。
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