Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 479 A, 0.45 mΩ, 135 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 236-3639
- メーカー型番:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 236-3639
- メーカー型番:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 479A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.45mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 188W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 135nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.35mm | |
| 長さ | 5.49mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 479A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS™ | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.45mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 188W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 135nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.35mm | ||
長さ 5.49mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSTMシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧25V、最大連続ドレイン電流479A - BSC004NE2LS5ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での表面実装パワースイッチング用に設計された高電流Nチャンネル半導体です。幅広い温度範囲で動作し、TDSONパッケージで取り付けると、大きな連続ドレイン電流と低い導通損失を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 479Aの連続ドレイン電流により、高負荷時の導通制限を低減
• 最大RDS(on) 0.45mΩでオン状態のエネルギー損失を低減
• 最大ドレイン・ソース電圧25Vにより、低電圧電力段階を実現
• 188Wの最大消費電力により、高い熱負荷をサポート
• 135nC標準ゲート充電により、ゲートドライブ設計の制御スイッチングを実現
• 最大ゲートソース電圧20Vにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 最大RDS(on) 0.45mΩでオン状態のエネルギー損失を低減
• 最大ドレイン・ソース電圧25Vにより、低電圧電力段階を実現
• 188Wの最大消費電力により、高い熱負荷をサポート
• 135nC標準ゲート充電により、ゲートドライブ設計の制御スイッチングを実現
• 最大ゲートソース電圧20Vにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電流DC配電モジュールに最適
• 低電圧コンバータの同期整流に最適
• 高ピーク電流を必要とするモータインバータステージで使用
• バッテリ管理および高出力電池に使用可能
• 通信整流器のパワーステージに使用
• 低電圧コンバータの同期整流に最適
• 高ピーク電流を必要とするモータインバータステージで使用
• バッテリ管理および高出力電池に使用可能
• 通信整流器のパワーステージに使用
どのような周囲温度に耐えられますか?
-55°C～175°Cで動作するように設定されています。
どのようなパッケージと取付方式を使用していますか？
表面実装用のTDSONパッケージで提供されます。
ゲートドライブ要件は設計にどのように影響しますか?
135nCのゲート充電には、必要なスイッチング速度と損失を満たすために、より高い充電伝送を実現するためのドライバサイズが必要です。
どのようなチャンネルの極性を採用し、使用にどのような影響を与えますか?
Nチャンネルトポロジを採用し、ローサイドスイッチングおよび同期整流器構成に適しています。
設計時にはどのような電圧および電流制限を遵守する必要がありますか?
設計は、最大ドレイン-ソース間電圧25V、最大連続ドレイン電流479Aを満たす必要があります。
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