Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, IPB024N10N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
214-9009
メーカー型番:
IPB024N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 100 V パワー MOSFET は、ORing回路やホットスワップ、バッテリー保護などの通信機の同期整流、またサーバー電源などの用途向けに設計されています。同種のデバイスと比較してRDS(on)が22%低く、業界をリードする性能指数は、低オン抵抗による最高レベルの電力密度と効率を実現します。

100 % アバランシェ試験済み

対象用途に合わせて JEDEC に準拠した認定を取得

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