Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB60R180P7ATMA1

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梱包形態
RS品番:
222-4895
メーカー型番:
IPB60R180P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IPB65R

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

180mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOSTM P7スーパージャンクション(SJ)MOSFETは、600 V CoolMOSTM P6シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOSTM第7世代プラットフォームのクラス最高のR onxAと本質的に低いゲート充電(Q G)により、高い効率を実現します。

ESD耐久性: ≥ 2 kV (HBMクラス2)

ゲート抵抗 RG を内蔵

高耐久性のボディダイオード

スルーホールと表面実装パッケージの幅広い製品群

標準仕様と産業仕様の製品を用意

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