Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 1.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
214-9050
メーカー型番:
IPD80R3K3P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.3Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

5.8nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

18W

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon の新製品 800V CoolMOS P7 シリーズは 、800V スーパージャンクション技術の新しい業界標準として、クラス最高の性能と最先端の使いやすさを合わせ持っています。これは、Infineonが 18 年以上にわたって先駆的なスーパージャンクション技術での革新を続けてきた成果です。これらは簡単に駆動でき、並列接続できるため、高電力密度設計、BOMの節約、組立コストの低減が可能です。LED 照明、低消費電力充電器 / アダプタ、オーディオ、 AUX 電源、産業用電源などのハード / ソフトスイッチングのフライバックトポロジに最適です。

最適化された製品ラインナップを提供

ESD 保護ツェナーダイオードを内蔵

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