Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 217-2533
- メーカー型番:
- IPD80R360P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥140.72 | ¥351,800 |
| 5000 - 22500 | ¥140.021 | ¥350,053 |
| 25000 - 35000 | ¥137.907 | ¥344,768 |
| 37500 - 47500 | ¥135.792 | ¥339,480 |
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- RS品番:
- 217-2533
- メーカー型番:
- IPD80R360P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon 800V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比の市場ニーズに完全に対応することで、低消費電力 SMPS 用途に最適です。主にアダプタと充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。 この新製品ファミリは、前モデルと比べて効率が最大 0.6 % 、 MOSFET 温度が 2 → 8 ° C と低くなっています。また、一般的なフライバック用途でテストされた競合他社の部品にも対応しています。また、スイッチング損失が低く、 DPAK R DS ( on )製品の性能が優れているため、電力密度を高めた設計が可能になります。全体として、お客様は BOM コストを削減し、組み立て作業を削減できます。
Infineon 800V CoolMOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格性能比の市場ニーズに完全に対応することで、低消費電力 SMPS 用途に最適です。主にアダプタと充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。 この新製品ファミリは、前モデルと比べて効率が最大 0.6 % 、 MOSFET 温度が 2 → 8 ° C と低くなっています。また、一般的なフライバック用途でテストされた競合他社の部品にも対応しています。また、スイッチング損失が低く、 DPAK R DS ( on )製品の性能が優れているため、電力密度を高めた設計が可能になります。全体として、お客様は BOM コストを削減し、組み立て作業を削減できます。
クラス最高の FOM RDS ( on ) * eOSS; Qg 、 CISS 、および COSS の削減
クラス最高の DPAK RDS ( on )
3 V のクラス最高の V ( GS ) th と ± 0.5 V の最小の V ( GS ) th の変動
ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています
完全に最適化されたポートフォリオ
クラス最高の FOM RDS ( on ) * eOSS; Qg 、 CISS 、および COSS の削減
クラス最高の DPAK RDS ( on )
3 V のクラス最高の V ( GS ) th と ± 0.5 V の最小の V ( GS ) th の変動
ツェナーダイオード ESD 保護機能を内蔵しています
完全に最適化されたポートフォリオ
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