2 Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, IPG20N06S4L11AATMA1
- RS品番:
- 214-9062
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 214-9062
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 41nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±16 V | |
| 最大許容損失Pd | 65W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| トランジスタ構成 | デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード | |
| 長さ | 5.15mm | |
| 幅 | 5.9 mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±16 V | ||
最大許容損失Pd 65W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
トランジスタ構成 デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード | ||
長さ 5.15mm | ||
幅 5.9 mm | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 は、 CO2 削減と電気駆動によるエネルギー効率に優れた MOSFET トランジスタです。新しい OptiMOS-T2 製品は、既存の OptiMOS-T と OptiMOS の製品を拡張します。デュアル N チャンネルロジックレベル拡張モードは、自動光学検査( AOI )に対応しています。OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、高エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。
AEC Q101 認定
100 % アバランシェ試験済み
動作温度 175 ° C
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