2 Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTDSON

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥503,415.00

(税抜)

￥553,755.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 10,000 は 2026年1月12日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥100.683￥503,415
10000 - 45000￥100.576￥502,880
50000 - 70000￥99.446￥497,230
75000 - 95000￥98.308￥491,540
100000 +￥97.186￥485,930

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
214-9061
メーカー型番:
IPG20N06S4L11AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

65W

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード

長さ

5.15mm

幅

5.9 mm

高さ

1mm

規格 / 承認

RoHS, MSL1, AEC Q101

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2 は、 CO2 削減と電気駆動によるエネルギー効率に優れた MOSFET トランジスタです。新しい OptiMOS-T2 製品は、既存の OptiMOS-T と OptiMOS の製品を拡張します。デュアル N チャンネルロジックレベル拡張モードは、自動光学検査（ AOI ）に対応しています。OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、高エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。

AEC Q101 認定

100 % アバランシェ試験済み

動作温度 175 ° C

関連ページ