2 Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTDSON

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RS品番:
214-9061
メーカー型番:
IPG20N06S4L11AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TDSON

シリーズ

OptiMOS-T2

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

65W

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

トランジスタ構成

デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード

幅

5.9 mm

長さ

5.15mm

規格 / 承認

RoHS, MSL1, AEC Q101

高さ

1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2 は、 CO2 削減と電気駆動によるエネルギー効率に優れた MOSFET トランジスタです。新しい OptiMOS-T2 製品は、既存の OptiMOS-T と OptiMOS の製品を拡張します。デュアル N チャンネルロジックレベル拡張モードは、自動光学検査（ AOI ）に対応しています。OptiMOS 製品は、高性能パッケージに収められ、最も厳しい用途に対応し、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon 製品は、高エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、それを上回るように設計されています。

AEC Q101 認定

100 % アバランシェ試験済み

動作温度 175 ° C

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