型番

Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 100 V, 8-Pin デュアルN パッケージTDSON

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仕様

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その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	OptiMOSTM-T2
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	22mΩ
	チャンネルモード	デュアルN
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	21nC
	最大許容損失Pd	60W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±16 V
	動作温度 Max	175°C
	トランジスタ構成	デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード
	規格 / 承認	RoHS Compliant
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ OptiMOSTM-T2
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ
	チャンネルモードデュアルN
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 21nC
	最大許容損失Pd 60W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±16 V
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード
	規格 / 承認 RoHS Compliant
	自動車規格 AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T2パワートランジスタは、デュアルNチャンネルノーマルレベル強化モードです。動作温度は175 °Cです。

AEC Q101認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

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