Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO
- RS品番:
- 215-2458
- メーカー型番:
- BSC034N03LSGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 75000 - 95000 | ￥51.184 | ￥255,920 |
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- RS品番:
- 215-2458
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- BSC034N03LSGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET シリーズは、 SuperSO8 5x6 パッケージタイプの最大ドレインソース電圧 30 V を備えています。超低ゲート及び出力電荷と、小型フットプリントパッケージで最も低いオン状態抵抗を兼ね備えた OptiMOS ™ 25 V は、サーバー、データ通信、及び電気通信の用途における電圧レギュレータソリューションの厳しい要件に最適な製品です。OptiMOS ™ 30V 製品は、 EMI 動作の改善とバッテリ寿命の向上により、ノートブックのパワー管理のニーズに合わせてカスタマイズできます。ハーフブリッジ構成（パワーステージ 5x6 ）を用意しています。
Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET シリーズは、 SuperSO8 5x6 パッケージタイプの最大ドレインソース電圧 30 V を備えています。超低ゲート及び出力電荷と、小型フットプリントパッケージで最も低いオン状態抵抗を兼ね備えた OptiMOS ™ 25 V は、サーバー、データ通信、及び電気通信の用途における電圧レギュレータソリューションの厳しい要件に最適な製品です。OptiMOS ™ 30V 製品は、 EMI 動作の改善とバッテリ寿命の向上により、ノートブックのパワー管理のニーズに合わせてカスタマイズできます。ハーフブリッジ構成（パワーステージ 5x6 ）を用意しています。
高速スイッチングMOSFET、SMPS用
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
N チャンネル; ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
優れた熱抵抗
高速スイッチングMOSFET、SMPS用
DC/DCコンバータ用に最適化された技術
対象用途に対してJEDEC1に適合
N チャンネル; ロジックレベル
優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM)
超低オン抵抗 R DS(on)
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