Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 95 A, 5.2 mΩ, 32 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO
- RS品番:
- 215-2460
- メーカー型番:
- BSC052N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2460
- メーカー型番:
- BSC052N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 95A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 95A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンOptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 80V、最大連続ドレイン電流 95A - BSC052N08NS5ATMA1
このMOSFETは、パワーエレクトロニクスにおける大電流スイッチング用に設計された表面実装Nチャンネルエンハンスメントモードトランジスタです。幅広い周囲温度範囲で効率的な導通と高速スイッチングが求められる用途向けで、小型基板レイアウトに適した8ピンSuperSOパッケージで提供されます。
特長：
• 5.2mΩ の超低オン抵抗により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 95A により、高い負荷に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 80V により、中電圧設計に対応
• 最大許容電力 83W により、持続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 32nC により、高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート-ソース間許容電圧 20V により、高い駆動電圧に対応
• 連続ドレイン電流 95A により、高い負荷に対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 80V により、中電圧設計に対応
• 最大許容電力 83W により、持続的な熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 32nC により、高速なスイッチング遷移が可能
• ゲート-ソース間許容電圧 20V により、高い駆動電圧に対応
用途
• 電源レールの高効率DC-DCコンバーターに適合
• 電源段の同期整流に最適
• モータードライブのハーフブリッジおよびインバータのスイッチングに使用
• サーバーおよび通信機器の配電モジュールに使用可能
• 広い温度範囲が求められる産業用スイッチングに採用
• 電源段の同期整流に最適
• モータードライブのハーフブリッジおよびインバータのスイッチングに使用
• サーバーおよび通信機器の配電モジュールに使用可能
• 広い温度範囲が求められる産業用スイッチングに採用
このデバイスは、動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～150°C で動作するよう規定されており、過酷な熱環境で使用できます。
基板上ではどのような実装方法とパッケージを想定すべきですか？
このデバイスは表面実装型の8ピンSuperSOパッケージで提供されるため、レイアウトではサーマルパッドとSMDランドパターンに対応する必要があります。
より高いゲート電圧で駆動すると、トランジスタはどのように動作しますか？
最大ゲート-ソース間電圧は 20V です。
この範囲内で駆動電圧を高くすると、RDS(on)が低下し、導通性能が向上します。
高周波設計のレイアウトに影響するスイッチング特性は何ですか？
標準ゲート電荷 32nC はゲート駆動エネルギーを左右し、駆動回路やEMI対策に影響します。
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