Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB60R180C7ATMA1
- RS品番:
- 215-2498
- メーカー型番:
- IPB60R180C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2498
- メーカー型番:
- IPB60R180C7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | 600V CoolMOS C7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 180mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4.57 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 15.88mm | |
| 長さ | 10.31mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ 600V CoolMOS C7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 180mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4.57 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 15.88mm | ||
長さ 10.31mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 600 V Cool MOS ™ C7 スーパージャンクション（ SJ ） MOSFET シリーズは、 Cool MOS ™ CP と比較してターンオフ損失（ E oss ）を約 50 % 削減し、 PFC 、 TTF 、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。IPL60R185C7 は、高電力密度充電器の設計にも最適です。効率性と TCO （総所有コスト>）が重視されるハイパーデータセンターや高効率通信用整流器（ 96 % ）などの用途は、 Cool MOS ™ C7 による高効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、 2.5 kW サーバー PSU の場合、 600 V Cool MOS ™ C7 SJ MOSFET を TO-247 4 ピンパッケージで使用すると、 PSU のエネルギー損失を約 10 % 削減できます。
Qg、Coss、Eossといったスイッチング損失パラメータ値を低減
クラス最高の性能指数Qg*R DS(on)
スイッチング周波数の増大
R(on)*Aが世界最高
堅牢なボディのダイオード
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