Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 40 V, 180 A, 2.4 mΩ, 7ピン, パッケージ:TO-263

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RS品番:
229-1821
メーカー型番:
IPB180P04P4L02ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

最大許容損失Pd

150W

順方向電圧 Vf

-1.3V

動作温度 Max

+175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon iPBシリーズMOSFET、最大消費電力150W、最大ドレインソース電圧40V - IPB180P04P4L02ATMA2


このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流スイッチング用に設計されたPチャンネルエンハンスメントモードパワートランジスタです。広い周囲温度範囲で動作し、要求の厳しい電気システムで使用するための自動車用ストレス認定に適合します。このコンポーネントは、熱効率と組立効率を実現するためにパッケージ化されており、電力制御トポロジに適したゲートドライブ電圧に耐えることができます。

特長:


• 低オン抵抗2.4mΩにより、導通損失を低減
• 180Aの高連続電流により、高負荷スイッチングを実現
• 40Vドレイン・ソース定格により、中電圧システムに最適
• 150Wの消費電力により、持続的な電力処理をサポート
• ゲート許容差16Vにより、堅牢な制御電圧マージンを実現
• -55°C~+175°Cの温度定格により、過酷な環境に耐えることができます。

用途


• 自動車用配電ユニットに最適
• 高電流DC-DCコンバータステージに最適
• モータドライバハイサイドスイッチングに使用
• バッテリ管理保護回路に使用可能
• 車両の表面実装電源モジュールに最適

PCBアセンブリにはどのような取り付けスタイルが必要ですか?


表面実装用のTO-263パッケージで提供されます。

連続高電流ではどのように性能を発揮しますか?


最大180Aの連続ドレイン電流をサポートし、最大消費電力は150Wです。

動作中にどのようなゲート電圧範囲を確認する必要がありますか?


デバイスのストレスを防止するため、ゲートソース電圧は16Vを超えないでください。

幅広い温度範囲での使用に適していますか?


このデバイスは、-55°C~+175°Cの高温用途向けに設計されています。

どのようなチャンネルと導通モードを使用しますか?


エンハンスメントモードで動作するPタイプチャンネルを採用しています。

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