Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 25 A, 300 mΩ, 16.3 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 215-2504
- メーカー型番:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 215-2504
- メーカー型番:
- IPD25N06S4L30ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 300mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16.3nC | |
| 最大許容損失Pd | 29W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 300mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.3nC | ||
最大許容損失Pd 29W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン OptiMOS-T2 シリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧 60V、最大連続ドレイン電流 25A - IPD25N06S4L30ATMA2
この MOSFET は、高い電流耐量と広い温度範囲が求められる表面実装用途向けに設計された、電力スイッチング用トランジスタです。強化モード N チャンネルデバイスとして動作し、適用されたゲートドライブ下でドレインとソース間の制御された伝導が必要な回路に適しています。このコンポーネントは、プリント基板実装用の TO-252 パッケージで提供され、ディスクリート電力段で使用される標準的なゲートドライブ電圧に対応します。
特長：
• 60V のドレイン電圧定格により、中電圧システムでの使用が可能になります。
• 25A の連続電流により、高負荷のスイッチングに対応します。
• 最大 300 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大 29W の許容電力が熱応力に対応します。
• 標準ゲート電荷 16.3nC により、高速なスイッチングが可能
• ゲート電圧定格 ±20V により、一般的なゲート電圧の変動（エクスカーション）に対応
• 25A の連続電流により、高負荷のスイッチングに対応します。
• 最大 300 mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大 29W の許容電力が熱応力に対応します。
• 標準ゲート電荷 16.3nC により、高速なスイッチングが可能
• ゲート電圧定格 ±20V により、一般的なゲート電圧の変動（エクスカーション）に対応
用途
• DC-DCコンバータースイッチ段に最適
• 電源回路の同期整流に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ構成と併用
• バッテリ管理スイッチング抵抗体に使用可能
• 汎用大低圧電源スイッチングに適合
• 電源回路の同期整流に最適
• モータ駆動ハーフブリッジ構成と併用
• バッテリ管理スイッチング抵抗体に使用可能
• 汎用大低圧電源スイッチングに適合
動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?
-55°C～150°C の幅広い温度範囲で動作し、過酷な熱環境での使用が可能です。
ゲート電荷量は、スイッチング性能にどのような影響を及ぼしますか？
16.3nC の標準ゲート電荷は、必要な駆動エネルギーを決定し、スイッチング速度とドライバサイズに影響を与え、効率的な移行を実現します。
熱管理の観点から、どのような取り付け上の考慮事項がありますか？
TO-252 表面実装パッケージは、プリント基板上の十分な銅パッド面積と熱バイアスを必要としており、熱を放散し、29W の放散能力を満たすことができます。
安全な動作のために許容されるゲート駆動振幅はどの程度ですか？
このデバイスは、最大 ±20V のゲート電圧に対応し、ゲート過負荷を回避するために最大許容ドライブを設定します。
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