Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD25N06S4L30ATMA2

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梱包形態
RS品番:
215-2504
メーカー型番:
IPD25N06S4L30ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS-T2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

29W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

16.3nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS ® -T2 パワートランジスタは、最大ドレインソース電圧 60 V 、 N チャンネル、車載用 MOSFET を備え、 DPAK （ TO-252 ）パッケージタイプです。

Nチャンネル - 強化モード

AEC Q101 認定

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

100 % アバランシェテスト済み

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