Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥172,260.00

(税抜)

¥189,485.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 17,500 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥68.904¥172,260
5000 - 22500¥68.062¥170,155
25000 - 35000¥66.526¥166,315
37500 - 47500¥64.99¥162,475
50000 +¥63.463¥158,658

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
223-8517
メーカー型番:
IPD50N06S409ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.95V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大許容損失Pd

71W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

DPAKパッケージに搭載したInfineon OptiMOSシリーズNチャンネルMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が60 V で、最高の電流容量、最高の熱効率を実現する最小のスイッチングと電力損失、優れた品質と信頼性を持つ堅牢なパッケージなどの特長を持ちます。

DPAKパッケージに搭載したInfineon OptiMOSシリーズNチャンネルMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が60 V で、最高の電流容量、最高の熱効率を実現する最小のスイッチングと電力損失、優れた品質と信頼性を持つ堅牢なパッケージなどの特長を持ちます。

自動車用途に適合したAEC-Q101規格に準拠

MSL1(260℃までのピークリフロー)に対応

高温環境下で動作(最大175℃)

グリーンパッケージを採用

超低オン抵抗を実現

100%アバランシュテストを実施

自動車用途に適合したAEC-Q101規格に準拠

MSL1(260℃までのピークリフロー)に対応

高温環境下で動作(最大175℃)

グリーンパッケージを採用

超低オン抵抗を実現

100%アバランシュテストを実施

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ