Infineon MOSFET, Nチャンネル, 700 V, 6 A, 900 mΩ, 6.8 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
214-4394
メーカー型番:
IPD70R900P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

700V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.8nC

最大許容損失Pd

30.5W

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.65mm

規格 / 承認

No

幅

6.42mm

高さ

2.35mm

自動車規格

なし

インフィニオン700V CoolMOS P7シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 700V、最大連続ドレイン電流 6A - IPD70R900P7SAUMA1


このMOSFETは、電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、高い耐圧と中程度の電流能力が求められる表面実装型電源設計向けです。このデバイスはエンハンスメントモードで動作し、ゲート駆動特性を制御できる小型電力部品を必要とするシステムに適しています。

特長:


• 耐圧 700V により、高電圧スイッチングが可能
• 連続ドレイン電流 6A により、中程度の負荷に対応
• 900mΩ のRds(on)により、負荷時の導通損失を抑制
• 標準ゲート電荷 6.8nC により、高速なゲート遷移を実現
• 最大許容電力 30.5W により、熱設計の余裕を確保
• 最大ゲート-ソース間定格 16V により、信頼性の高いゲート駆動に対応

用途


• 高電圧電源のSMPS一次側スイッチ用途に適合
• 耐圧 700V が必要なオフライン電源に最適
• 中程度の連続電流を必要とする電力コンバータに使用
• 産業機器のスイッチングトポロジに使用可能
• 小型の表面実装型電源アセンブリに適合

基板実装用にどのようなパッケージタイプが用意されていますか?


TO-252表面実装パッケージで提供され、はんだ付けによるプリント基板への取り付けと効率的な熱接触が可能です。

温度範囲は過酷な環境での使用にどのような影響を与えますか?


このデバイスは -40°C~150°C で動作するよう規定されており、ジャンクション温度が高く周囲温度の変化が大きい用途に対応します。

設計ではどのようなゲート駆動の制約を守る必要がありますか?


ゲートはソースに対して ±16V を超えてはならないため、過電圧を防止するためにゲート駆動回路にクランプまたはレベルシフトを組み込む必要があります。

デバイスのチャンネルとモードは回路トポロジにどのような影響を与えますか?


Nチャンネルエンハンスメント型デバイスのため、導通には正のゲート-ソース間電圧が必要で、適切なドライバ構成によりローサイドまたはハイサイドのスイッチングに適しています。

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