Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD70R900P7SAUMA1

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梱包形態
RS品番:
214-4394
メーカー型番:
IPD70R900P7SAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

700V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

700V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

30.5W

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.8nC

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

幅

6.42 mm

規格 / 承認

No

高さ

2.35mm

長さ

6.65mm

自動車規格

なし

Infineon の 700V Cool MOS P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、基本的な性能向上により、携帯電話の充電器やノートブックアダプタなど、低電力 SMPS 市場に対応します。

磁気サイズが小さく、 BOM コストが低くなっています

高い ESD 耐性を備えています

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